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从HF到HSN,三星蚀刻液供应商Soulbrain致力提升3D NAND蚀刻效率

2020/2/11 16:33:18      点击:

毋庸置疑,随着5G时代的全面到来以及设施扩建的不断发展,全球半导体产业前景一片光明。并且,随着技术的不断发展,设备尺寸越来越小,但性能却在不断提高。在此过程中,决定半导体效率和成品率的高选择性蚀刻剂起到了举足轻重的作用。

2019年7月,日本对韩国部分半导体原材料一纸限令,将全球半导体产业链的目光集中在了韩国,其中Soulbrain作为韩国重要的蚀刻液生产厂商也吸引了广泛关注。

Soulbrain目前最主要的产品包括氟化氢(HF)和缓冲氧化物蚀刻剂(BOE),这两种材料是半导体制造过程中非常重要的产品,用于蚀刻和清洁半导体表面的氧化膜。

根据韩国证券公司披露,2019年Soulbrain总销售额将达到1.327万亿韩元,营业利润预计达1825亿韩元,营业利润率为17.7%。

其中,半导体部门占销售额的很大一部分。截至2019年底,半导体部门的估计销售额为5900亿韩元,占总销售额的57%;显示部门销售额为3285亿韩元,占总销售额的32%;可充电电池部门销售额797亿韩元,占总销售额的8%。而氟化氢和缓冲氧化物蚀刻剂两种产品占总销售额的一半。

业内人士表示,随着半导体叠层数量的增加,蚀刻技术将变得更有价值,而在蚀刻领域具有独特技术的Soulbrain将变得更加有价值。高选择性氮化物蚀刻剂(HSN)通过选择性地蚀刻氮化物提高蚀刻效率,对于高堆叠数量的3D NAND结构具有重要意义。

Soulbrain于2016年成立了子公司Soulbrain Rasa,致力于生产高选择性氮化物蚀刻剂,Soulbrain共投资30亿韩元,并获得了51%的股份。

据媒体报道,Soulbrain Rasa仅向三星电子的半导体部门提供高选择性氮化物蚀刻剂。三星电子是战略投资者,持有Soulbrain 4.8%的股份。

2018年7月,三星电子开发了具有90层以上堆叠层数的第五代V-NAND,并在2019年8月开发了100+层堆叠的第六代V-NAND。随着堆叠层数的增加存储容量更大,提高蚀刻的效率也变得愈加重要。

业内人士表示,高选择性氮化物蚀刻剂确实非常有价值。三星电子的一位专家表示,磷酸盐本身是一种非常粘的材料,在蚀刻过程中会硬化到半导体叠层的底部。高选择性的磷酸会立即流动并被蚀刻,因此对提高生产效率起着决定性的作用。