据韩媒报道，三星电子目前正在开发具有176层电路堆叠的第七代V-NAND，并计划在明年4月份实现量产。此前，已有媒体报道称SK海力士也在进行176层3D NAND的研发。

据悉，三星电子原本计划开发192层3D NAND，后又改为176层，并且目前已经取得了长足进展。

目前，市面上在售的3D NAND最高堆叠层数为128层，其中，三星、SK海力士已经开始量产出货128层3D NAND，铠侠/西部数据正在量产112层 BICS 5 3D NAND，长江存储将在今年底到明年初期间量产128层3D NAND，英特尔将在今年底之前实现144层产品量产。

在存储领域，三星是绝对的霸主，根据中国闪存市场数据，2020年Q2全球NAND Flash市场销售收入145.4亿美元，三星NAND Flash收入为45.8亿美元，市场份额达到31.5%，排名第一。

而三星“制胜”的秘诀就是不断扩大与竞争对手的技术差距。当然，在供需关系绝对敏感的存储市场，产能规模也相当重要。

目前，三星的NAND产线主要分布在中国西安以及韩国华城和平泽两市。其中，西安工厂分为一期和二期，一期工厂和二期一阶段已经实现量产出货，二期二阶段预计2021年下半年量产。

来源：公开信息，中国闪存市场ChinaFlashMarket整理

而华城市则建有Fab 12、Fab 16以及Fab 17，均为NAND 和DRAM混合产线；目前正在量产出货中。

平泽工厂是三星进行产能扩充的另一基地，据媒体报道称平泽P1已投入生产先进的NAND Flash和DRAM；P2工厂在2020年进行设备投资后，生产10nm级DRAM，也包括建设极紫外光刻（EUV）生产线。同时，三星还在5月份投资8兆韩元开工建设NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产先进的V-NAND芯片；此外，三星将开工的平泽P3工厂，于6月底已拿到了施工许可并开始准备开工的相关工作，后续具体生产何种产品尚不可知，将据市场需求而定。