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中国半导体领域急起直追 韩厂力图拉开技术差距

2015/11/19 8:58:23      点击:

中国政府大动作投入庞大资金,从IC设计、制造、设备、零组件等全方位扶植半导体产业,让韩国半导体业界备受威胁。

尤其国营企业清华紫光集团积极推动企业并购,将进军由三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)两大韩厂掌握主导权的DRAM市场。

对此,三星和SK海力士为维持竞争优势,将运用微细制程拉开技术差距。其中,将以高附加价值产品群为中心,提升获利,采取抢占未来市场的策略,抵挡中国的攻势。

清华紫光集团对子公司同方国芯执行800亿元规模的第三方配额有偿增资,其中600亿元将用来建设存储器生产线。其余200亿元将用来并购半导体相关企业,及收购台半导体后段制程厂力成的25%股权。

清华紫光集团1988年成立,为中国最大半导体企业,9月透过子公司紫光收购全球第一的传统硬盘(HDD)企业西部数据(Western Digital) 15%股权。10月透过西部数据以190亿美元并购SanDisk,宣告进军基于NAND Flash的固态硬盘(SSD)市场。

韩国半导体业界人士透露,目前韩国与中国大陆的技术差距仍大,但大陆以庞大的资本为基础,进军存储器市场,若大量生产低价产品掌控市场,韩国企业也将陷入危机。

三星和SK海力士以微细制程技术掌握全球DRAM市场,对于中国大陆的来势汹汹,也不敢大意。

韩国业界担忧,若清华紫光成功收购美国半导体大厂美光(Micron),韩厂将面临最糟的情况。

清华紫光7月曾对美光提出230亿美元的收购邀约,然美国政府以国安为考量拒绝邀约。消息传出后,美光的股价出现下滑,而清华紫光仍不放弃收购,提高约30%以上的价格,再次提出收购案。

紧追在三星和SK海力士之后的美光,日前对日本广岛工厂投资1,000亿日圆(约8.3亿美元),准备在2016年生产16纳米DRAM。

韩国新韩金融投资理事苏贤哲(音译)表示,大陆存储器芯片100%依赖进口,进军存储器市场的可能性高。未来可能透过收购台DRAM厂或策略合作,威胁韩国存储器事业。另一方面,美光业绩不佳,可能让大股东产生出售给大陆的想法。

韩国业界推测,大陆有可能会收购半导体曝光设备厂ASML。大陆成为全球最大智能型手机市场,然主要制造厂的DRAM全都依赖进口,大陆政府将推动包含半导体设备的存储器企业扶植政策。

ASML独占供应生产DRAM必备的高价极紫外线(EUV)设备。对推动16纳米制程的美光来说,确保ASML设备也是引进新制程的关键。

EOTECHNICS代表成圭栋指出,清华紫光可能凭借庞大的资本,尝试收购ASML、应用材料(Applied Materials)等全球性半导体设备大厂。若ASML出售给大陆,延迟对韩国供应EUV设备,韩半导体厂将受到严重的冲击。

三星和SK海力士以领先的制程技术拉开与竞争企业的差距,在大陆的威胁中争取时间。

三星社长金奇南强调,应对大陆猛烈攻势筹备因应对策,并拟定新成长事业计划。未来5年,将视企业准备的程度一分高下。

三星和SK海力士将以2016年为起点量产18纳米DRAM。三星的目标在2016年上半投入量产,SK海力士则是在2016年下半。三星华城17产线晶圆产量将从每月4万片提高到5万片,SK海力士利川M14厂晶圆产量将从1.5万片扩大到7万片。

三星目前是业界唯一采20纳米制程生产DRAM的企业。2016年跨入18纳米制程后,将以2020年生产10纳米DRAM为目标推动事业。

SK海力士2015年第3季将完成20纳米级DRAM技术研发,目前主力产品为25纳米制程DRAM。

SK海力士的目标是第4季投产,并在2016年中旬将DRAM总产量一半以上转换为20纳米级出头制程。

三星和LG判断整体DRAM市场需求将较往年疲软,但智能型手机等搭载的平均存储器容量持续扩大,第4季将以LPDDR4 DRAM为中心扩大供货比重。

韩国业界人士表示,近来存储器市场需求疲软,DRAM平均销售价格下滑,但采20纳米制程的DRAM供应量扩大,得以改善获利性。DRAM微细制程越先进,在性能和成本竞争力上将更有优势。