3D NAND Flash渐成业界主流，需求飙升有望，各大厂商争相增产，据传三星电子、东芝(Toshiba)、英特尔等都计划扩产，一场3D NAND Flash大战即将开打。

      BusinessKorea 15日报导，东芝联合SanDisk抗韩，大手笔增产。去年第三季，东芝和SanDisk为全球NAND Flash的二哥和三哥，市占各为20.5%、15.4%，合并市占比三星多出4.4%。强敌来势汹汹，3D NAND Flash三星不敢小觑，外传中国西安厂将装设更多3D NAND生产设备。目前三星西安厂的3D NAND产量为每月10万片晶圆。

      半导体龙头英特尔(Intel)也没闲着，中国大连厂将在今年下半生产3D NAND。大连厂设备老旧，英特尔将砸55亿美元升级产能，盼量产3D NAND和Xpoint。

      3D NAND用途广泛，可用于服务器、SSD、SD卡、智能机、平板、笔电等，业者看好商机砸下重金，明年东芝和英特尔的3D NAND产能可能是三星西安厂的2~3倍，将威胁三星的霸者地位。

      日本媒体日刊工业新闻8日报导，东芝计划携手SanDisk在日本三重县四日市市兴建NAND Flash新工厂，最快2017年量产，目标把3D NAND Flash产能提高至现行2倍。据报导，上述NAND Flash新厂将坐落在现行四日市工厂附近，预计于2016年度动工，投资额超过4,000亿日圆，设备投资费用由东芝和SanDisk均摊。

      韩联社、BusinessKorea报导，SK海力士14日宣布，今年资本开支为6兆韩圆(50亿美元)，与去年相近，要藉此击退对手，并回应政府对企业扩大投资的呼声。预料可能会计划生产更多高阶的NAND Flash商品，如三阶储存单元(Triple-Level Cell，简称TLC)的NAND Flash。当前SK海力士每季产量约为1亿组，远不如三星电子的4.5亿组。