2016年在半导体市场上，DRAM将进入景气循环下降的阶段。在韩系大厂掌握主导权的DRAM市场上，2016年将持续供过于求的情况，获利性恐较2015年更差，预估会出现睽违4年的负成长。

      韩国证券分析师指出，2016年DRAM市场规模估计年减3%，为458亿美元。DRAM市场开始走下坡，过去下行循环平均会持续8季，现在算是走过了一半。该分析师表示，下降的循环可能软着陆。与过去不同的是，寡占的竞争结构、转换微细制程较困难等，供应量增加有限。

      全球IT产业需求疲软，难以期待恢复上升动力，但因供货量扩大有限，不会出现如过去景气衰退循环时的亏损情况，维持稳定获利的软着陆可能性高。DRAM产业自2015年下半开始进入衰退的循环，但跌幅不如过去陡峭。然领先企业的销售缩减，仍将使获利下滑。

      分析师表示，IT产业正加速去智能型手机化，以自动驾驶车、智能家庭、生物科技、机器人、巨量资料等为中心的尖端产业浮现，DRAM产业长期来说，2016年将进入新的转换期。

      而NAND Flash市场因半导体大厂2016年将正式投产3D NAND，奠定市场扩大的基础。其中三星电子(Samsung Electronics)最为领先，已准备生产第三代48层堆叠3D NAND，东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)也竞相投产3D NAND，可望带动搭载3D NAND的固态硬盘(SSD)大众化。

      分析师表示，是否可成功生产较16纳米2D NAND成本更低的3D NAND，对各厂2016年NAND生产增加率将带来很大的影响。SK海力士若在2016年上半成功生产48层TLC 3D NAND，将可大幅提升NAND竞争力。

      DRAM价格下滑意味著获利性转差，然NAND价格下跌可带动需求、创造市场。若照目前趋势，NAND市场可望持续成长。现阶段难以透过尖端化制程达到节约成本的效果，为确保NAND的成本竞争力，3D NAND技术将成为关键。

      以32层结构以下的3D NAND来看，制造成本都高于2D NAND，生产3D NAND对半导体业者的获利性会造成负面影响，但自48层结构开始，可达到成本平价(Cost Parity)，有助于改善获利性。2016年NAND设备投资规模估计较2015年增加33%，约102亿美元，将集中在48层3D NAND上。

      而在全球半导体市场上，大陆企业的威胁和并购风潮仍将持续。大陆政府大规模投资扶植半导体产业，以及全球半导体企业间的并购等，对半导体产业而言都是需谨慎关注的变量。

      2015年半导体业界不断传出大规模并购案，除促进规模经济效益外，因产业间界线逐渐模糊，半导体业者欲透过并购拓展事业领域。2016年并购风潮仍将持续，不仅是半导体企业间的并购，有意加强科技领域竞争力和主导权的企业的举动，也需要留意。