随着NAND Flash技术工艺向1ynm或1znm发展，东芝先进的15nm工艺可让NAND Flash Die容量达128Gb，日前称3D TLC 48层技术可将容量提升至256Gb。于此同时，在NAND Flash Die堆叠技术方面，东芝宣布采用TSV技术8-Die堆叠的NAND Flash芯片容量达128GB，16-Die堆叠可将容量提升至256GB。

东芝16-Die堆叠的256GB NAND Flash芯片，对于2.5英寸的SSD来讲可催生TB级以上产品诞生，一般2.5英寸PCBA板搭载8颗或16颗NAND Flash芯片，8颗的SSD容量可达2TB，16颗的SSD容量则将突破4TB。

对于适用于超级本、薄型笔记本存储的mSATA和M.2形态的SSD，由于mSATA和M.2规格尺寸上的限制，NAND Flash芯片颗数封装有限，从而导致SSD整体容量受到牵制，单颗NAND Flash芯片容量的提升，更有利于迷你SSD容量的增加。

另外，NAND Flash芯片容量升级也将有利于降低SSD价格。三星850 EVO SSD利用3D NAND大容量优势，凭借大容量128GB的NAND Flash芯片，120GB容量SSD只需搭载一颗，PCBA板面积仅为2.5英寸外壳的1/3，即使250GB也只需要搭载2颗，PCBA板面积也非常小，NAND Flash芯片颗粒减少以及PCBA板面积的减小均可有效降低SSD成本。如今，东芝将NAND Flash芯片容量提升至256GB，那么SSD搭载一颗NAND Flash芯片就可以让容量达到256GB，2颗容量就能轻松实现500GB，价格不仅随之降低，容量也将从最低的128GB提升256GB。

虽然在容量上，HDD容量可以高达8TB，但市场主流需求容量依然集中在4TB以下，SSD容量的不断发展将迅速拉近与HDD在容量上的差距，而SSD价格进一步下滑，将是SSD取代HDD最大的推动力。同时，SSD向TB级别容量迈进，以及高速传输特性将更适合企业、数据中心数据存储需要。